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BSM100GB120DN2K 全系列優(yōu)勢(shì)英飛凌IGBT 公司大量原裝現(xiàn)貨

  • BSM100GB120DN2K2652026-06-01 05:12
  • 英飛凌
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  • 500
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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Freescale NXP Rohm Vishay Xilinx
  • 聯(lián)　系人：趙小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82815082
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13049883113
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518
BSM100GB120DN2K數(shù)據(jù)手冊(cè)
BSM100GB120DN2K參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 模塊
RoHS
否
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
1200 V
集電極—射極飽和電壓
2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
145 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封裝 / 箱體
Half Bridge1
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 150 C
封裝
Tray
高度
30.5 mm
長(zhǎng)度
94 mm
寬度
34 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
安裝風(fēng)格
Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
產(chǎn)品類型
IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量
10
子類別
IGBTs
零件號(hào)別名
BSM100GB120DN2KHOSA1 SP000101733
商品詳情

BSM100GB120DN2K  全系列優(yōu)勢(shì)英飛凌IGBT 公司大量原裝現(xiàn)貨   歡迎來電咨詢！！

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