商品詳情
特性
8 m位[x 1 / x 2] CMOS串行閃存
單電源操作
2.7到3.6伏特的讀，擦除，和程序操作
支持串行外圍設(shè)備接口——模式0和模式3
8,388,608 x 1位結(jié)構(gòu)或4,194,304 x 2位(雙輸出模式)結(jié)構(gòu)
256個(gè)等扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)4K字節(jié)
任何扇區(qū)都可以單獨(dú)清除
16個(gè)相同的塊，每個(gè)64K字節(jié)
任何塊可以單獨(dú)擦除
項(xiàng)目能力
字節(jié)的基礎(chǔ)
頁面基數(shù)(256字節(jié))
鎖存保護(hù)為100性能
高性能
快速訪問時(shí)間:86MHz串行時(shí)鐘
雙輸出模式串行時(shí)鐘:80MHz
快速程序時(shí)間:0.6ms(typ.)和3ms(max.)/頁
字節(jié)程序時(shí)間:9us(典型)
快速刪除時(shí)間:40ms(typ.) /扇區(qū);0.4年代(typ。)/塊
低功耗
低有源讀取電流:12mA(最大)，在86MHz
低主動(dòng)編程電流:15mA (typ.)
低有源扇區(qū)/塊擦除電流:9mA (typ.)
低待機(jī)電流:15uA (typ)
深電源關(guān)閉模式2uA (typ.)
典型的100,000個(gè)擦除/程序周期
20年的數(shù)據(jù)保存mA，從-1V到Vcc +1V
深圳市佳杰偉業(yè)科技有限公司
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