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VBSEMI/臺灣微碧 320N20N 34A/200V TO252 N溝道

  • IPD320N20N3G02026-05-27 05:25
  • 微碧
  • 2500
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供應(yīng)商信息

深圳市眾興電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    8

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ESPRESSIF GD Nexperia Nichicon ST Ti
  • 聯(lián)　系人：歐陽小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82764186
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13392824727
  • 地　　址：華發(fā)北路賽格科技園4棟東6-G30
IPD320N20N3G數(shù)據(jù)手冊
IPD320N20N3G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
詳細信息
商標
Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流
34 A
Vds-漏源極擊穿電壓
200 V
Rds On-漏源導通電阻
32 mOhms
晶體管極性
N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓
3 V
Qg-柵極電荷
22 nC
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK-3
封裝
Reel
配置
Single
下降時間
4 ns
正向跨導 - 最小值
55 S, 28 S
最小工作溫度
- 55 C
上升時間
9 ns
系列
OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時間
21 ns
典型接通延遲時間
11 ns
零件號別名
IPD320N20N3GBTMA1 IPD320N20N3GXT SP000677838
商品詳情

VBSEMI/臺灣微碧   

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