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IPB020N08N5

  • IPB020N08N5請詢價2026-05-25 05:59
  • INFINEON
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供應商信息

深圳市鼎信佳電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    8

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Microchip Ti Xilinx
  • 聯(lián)　系人：l羅先生,黃先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：13422891902
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13422891902，13631522237
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中10A11
IPB020N08N5數(shù)據(jù)手冊
IPB020N08N5參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
封裝/外殼：
PG-TO263-3
Packing Type：
TAPE & REEL
Moisture Level：
1
RDS (on) max：
2.0m?
IDpuls max：
480.0A
VDS max：
80.0V
ID max：
120.0A
Package：
D2PAK (TO-263)
Rth：
0.5K/W
QG：
133.0nC
Budgetary Price ?€/1k：
1.46
Operating Temperature min：
-55.0°C
Ptot max：
300.0W
Polarity：
N
Pin Count：
3.0Pins
RthJA max：
62.0K/W
Mounting：
SMD
Coss：
1500.0pF
Ciss：
9300.0pF
VGS(th) min max：
2.2V 3.8V
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情
型號：IPB020N08N5
品牌：INFINEON
批號：21+

封裝：TO-263

裝: Reel
商標: Infineon Technologies
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
寬度: 9.25 mm
單位重量: 4 g
N溝道 漏源電壓(Vdss)：80V 連續(xù)漏極電流(Id)：120A 功率(Pd)：300W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@100A,10V

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