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NTR4003NT1G

  • NTR4003NT1G請?jiān)儍r(jià)2026-05-27 05:58
  • onsemi(安森美)
  • 1
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供應(yīng)商信息

深圳市鼎信佳電子科技有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:ADI Infineon Microchip Ti Xilinx
  • 聯(lián) 系人:l羅先生,黃先生
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:13422891902
  • 電子郵件:[email protected]
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  • 地  址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中10A11
NTR4003NT1G數(shù)據(jù)手冊
NTR4003NT1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
FET類型:
N 溝道
技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):
500mA(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):
2.5V,4V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):
1.4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):
1.15nC @ 5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):
21pF @ 5V
Vgs(最大值):
±20V
功率耗散(最大值):
690mW(Ta)
不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):
1.5 歐姆 @ 10mA,4V
工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:
表面貼裝
封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封裝形式Package:
SOT-23
極性Polarity:
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:
30V
連續(xù)漏極電流ID:
0.5A
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):
1.15nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):
21pF @ 5V
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):
1.5 歐姆 @ 10mA,4V
FET 類型:
N 溝道
漏源極電壓(Vdss):
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):
500mA(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
2.5V,4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):
1.4V @ 250μA
無鉛情況/RoHs:
無鉛/符合RoHs
商品詳情
型號: NTR4003NT1G
品牌: onsemi(安森美)
封裝: SOT-23(SOT-23-3)
描述:類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):30V 連續(xù)漏極電流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id): 閾值電壓(Vgs(th)@Id): N溝道,30V,0.56A,1Ω@4V

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