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其它集成電路

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BSO301SP BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 SOIC-8 MOSFET 電子元器件配單

  • BSO301SP請詢價2026-06-15 05:53
  • INFINEON/英飛凌
  • 1
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
BSO301SP數(shù)據(jù)手冊
BSO301SP參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標準包裝：
2,500
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
OptiMOS??
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
12.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
8 毫歐 @ 14.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
136nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
5890pF @ 25V
功率 - 最大值：
1.79W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
PG-DSO-8
其它名稱：
BSO301SPINTRBSO301SPNTMA1
商品詳情
制造商: Infineon 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS: N 
技術(shù): Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: SOIC-8 
晶體管極性: P-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 14.9 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 1.79 W 
通道模式: Enhancement 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
商標: Infineon Technologies 
配置: Single 
下降時間: 22 ns 
高度: 1.75 mm 
長度: 4.9 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
上升時間: 22 ns 
系列: BSO301 
工廠包裝數(shù)量：2500 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 P-Channel 
典型關(guān)閉延遲時間: 130 ns 
典型接通延遲時間: 15 ns 
寬度: 3.9 mm 
零件號別名: SP000012583 BSO301SPNTMA1 
單位重量: 540 mg

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