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其它集成電路

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深圳和潤天下電子科技有限公司

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NTJD5121NT1G數據手冊
NTJD5121NT1G參數信息
參數參數值
制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SC-88-6
通道數量
2 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
295 mA
Rds On-漏源導通電阻
1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
0.9 mm
長度
2 mm
系列
NTJD5121N
晶體管類型
2 N-Channel
寬度
1.25 mm
商標
ON Semiconductor
下降時間
32 ns
產品類型
MOSFET
上升時間
34 ns
工廠包裝數量
3000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
34 ns
典型接通延遲時間
22 ns
單位重量
6 mg
商品詳情
產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS:  
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-88-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 295 mA
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 6 mg

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