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其它集成電路

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華芯源電子 原裝現(xiàn)貨 IRF135SA204 TO-263-7 MOSFET 支持一站式BOM表配單

  • IRF135SA204請詢價2026-06-05 05:20
  • Infineon(英飛凌)
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì):

    12

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián) 系人:蔡經(jīng)理,張小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機:13378422395,19129491930
  • 地  址:深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
IRF135SA204數(shù)據(jù)手冊
IRF135SA204參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
封裝/外殼:
D2PAK7P
FET 類型:
N 溝道
技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):
135V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):
160A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):
5.9 毫歐 @ 96A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
315nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):
11690pF @ 50V
功率耗散(最大值):
500W(Tc)
工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK-7
通道類型:
N
最大連續(xù)漏極電流:
160 A
最大漏源電壓:
135 V
最大漏源電阻值:
5.9 m0hms
最大柵閾值電壓:
4V
最小柵閾值電壓:
2V
最大柵源電壓:
-20 V、+20 V
封裝類型:
D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目:
7+Tab
通道模式:
增強
類別:
功率 MOSFET
最大功率耗散:
500 W
典型接通延遲時間:
20 ns
典型關(guān)斷延遲時間:
140 ns
典型輸入電容值@Vds:
11690 pF @ 50 V
典型柵極電荷@Vgs:
210 nC @ 10 V
最高工作溫度:
+175 °C
高度:
9.65mm
系列:
HEXFET
每片芯片元件數(shù)目:
1
寬度:
4.83mm
長度:
10.54mm
正向跨導:
270S
正向二極管電壓:
1.3V
尺寸:
10.54 x 4.83 x 9.65mm
最低工作溫度:
-55 °C
無鉛情況/RoHs:
無鉛/符合RoHs
商品詳情
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 135 V
Id-連續(xù)漏極電流: 160 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 1.600 g

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