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其它集成電路

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華芯源電子 原裝現(xiàn)貨 IPB108N15N3G PG-TO263-3 MOSFET 支持一站式BOM表配單

  • IPB108N15N3G請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-22 05:04
  • Infineon
  • 1
  • 10000+
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詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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供應(yīng)商信息

深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    12

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián) 系人:蔡經(jīng)理,張小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):13378422395,19129491930
  • 地  址:深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號(hào)盈峰中心12A3
IPB108N15N3G數(shù)據(jù)手冊(cè)
IPB108N15N3G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
詳細(xì)信息
商標(biāo)
Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流
8 1347 3 A
Vds-漏源極擊穿電壓
150 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
10.8 mOhms
晶體管極性
N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓
20 V
Qg-柵極電荷
41 nC
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
D2PAK-3
封裝
Reel
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降時(shí)間
9 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值
94 S
最小工作溫度
- 55 C
上升時(shí)間
35 ns
系列
OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量
1000
商標(biāo)名
OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
32 ns
典型接通延遲時(shí)間
17 ns
零件號(hào)別名
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862
商品詳情

    產(chǎn)品屬性 屬性值
    制造商: Infineon
    產(chǎn)品種類: MOSFET
    RoHS:  
    技術(shù): Si
    安裝風(fēng)格: SMD/SMT
    封裝 / 箱體: TO-263-3
    晶體管極性: N-Channel
    通道數(shù)量: 1 Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
    Id-連續(xù)漏極電流: 83 A
    Rds _disibledevent="Apple-interchange-newline" />

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