深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司
| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|---|---|
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制造商
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Infineon
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產(chǎn)品種類
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MOSFET
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RoHS
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詳細(xì)信息
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商標(biāo)
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Infineon Technologies
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Id-連續(xù)漏極電流
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8
1347
3 A
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Vds-漏源極擊穿電壓
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150 V
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
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10.8 mOhms
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晶體管極性
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N-Channel
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Vgs-柵源極擊穿電壓
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20 V
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Qg-柵極電荷
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41 nC
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最大工作溫度
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+ 175 C
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Pd-功率耗散
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214 W
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安裝風(fēng)格
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SMD/SMT
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封裝 / 箱體
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D2PAK-3
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封裝
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Reel
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通道模式
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Enhancement
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配置
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Single
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下降時(shí)間
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9 ns
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正向跨導(dǎo) - 最小值
|
94 S
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最小工作溫度
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- 55 C
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上升時(shí)間
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35 ns
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系列
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OptiMOS 3
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工廠包裝數(shù)量
|
1000
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商標(biāo)名
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OptiMOS
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典型關(guān)閉延遲時(shí)間
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32 ns
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典型接通延遲時(shí)間
|
17 ns
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零件號(hào)別名
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IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862
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| 產(chǎn)品屬性 | 屬性值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon |
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET |
| RoHS: | |
| 技術(shù): | Si |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-263-3 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 150 V |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 83 A |
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