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其它集成電路

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全新原裝現(xiàn)貨 IRF7480MTRPBF DIRECTFET MOSFET 電子元器件一站式配單

  • IRF7480MTRPBF請詢價2026-06-16 05:49
  • INFINEON/英飛凌
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
IRF7480MTRPBF數(shù)據(jù)手冊
IRF7480MTRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
封裝/外殼：
MG-WDSON-8
FET 類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
217A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
6V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
1.2 毫歐 @ 132A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
3.9V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
185nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
6680pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
96W（Tc）
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
系列：
HEXFET?，StrongIRFET?
FET類型：
N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
217A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
6V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
3.9V @ 150μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
185nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
6680pF @ 25V
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
1.2 毫歐 @ 132A，10V
封裝形式Package：
Direct-FET
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
40V
連續(xù)漏極電流ID：
217A
供應(yīng)商器件封裝：
DirectFET? Isometric ME
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情
制造商: Infineon 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: DirectFET-ME 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 217 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V 
Qg-柵極電荷: 123 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 96 W 
通道模式: Enhancement 
商標(biāo)名: StrongIRFET 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標(biāo): Infineon / IR 
配置: Single 
下降時間: 58 ns 
正向跨導(dǎo) - 最小值: 370 S 
高度: 0.7 mm 
長度: 6.35 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
上升時間: 70 ns 
4800 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
典型關(guān)閉延遲時間: 68 ns 
典型接通延遲時間: 21 ns 
寬度: 5.05 mm 
零件號別名: IRF7480MTRPBF SP001566252 
單位重量: 500 mg 

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