商品詳情
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 440 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 63 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 65 ns
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 125 ns
系列: FDPF15N65
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 105 ns
典型接通延遲時間: 65 ns
寬度: 4.9 mm
單位重量: 2 g