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其他場(chǎng)效應(yīng)管

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VISHAY/威世 irf9640STRLPBF晶體管 MOSFET

  • irf9640STRLPBF請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-02 05:25
  • VISHAY/威世
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深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    14

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:ADI Diodes MPS NXP ST Ti
  • 聯(lián) 系人:陳楠
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:0755-82725207,18025360035
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irf9640STRLPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
irf9640STRLPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
FET類型:
P 溝道
技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):
11A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):
10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):
4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):
44nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):
1200pF @ 25V
Vgs(最大值):
±20V
功率耗散(最大值):
3W(Ta),125W(Tc)
不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):
500 毫歐 @ 6.6A,10V
工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:
表面貼裝
封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
封裝形式Package:
D2PAK
極性Polarity:
P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:
200V
連續(xù)漏極電流ID:
11A
無(wú)鉛情況/RoHs:
無(wú)鉛/符合RoHs
商品詳情
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> MOSFETs

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