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晶體二極管

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SI7186DP-T1-GE3 VISHAY/威世 晶體二極管 21+ QFN-8 全新原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • SI7186DP-T1-GE302026-06-18 05:50
  • VISHAY/威世
  • 1
  • 10000
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
SI7186DP-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊
SI7186DP-T1-GE3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 單
系列：
TrenchFET®
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：
80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
32A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
12.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
70nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
2840pF @ 40V
功率 - 最大值：
64W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK® SO-8
供應(yīng)商器件封裝：
PowerPAK® SO-8
其它名稱：
SI7186DP-T1-GE3TRSI7186DPT1GE3
商品詳情

產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8 
商標(biāo)名: TrenchFET 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
商標(biāo): Vishay / Siliconix 
高度: 1.04 mm 
長度: 6.15 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
系列: SI7 
3000 
子類別: MOSFETs 
寬度: 5.15 mm 
零件號別名: SI7186DP-GE3 
單位重量: 506.600 mg

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