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晶體二極管

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NTJD5121NT1G 晶體二極管 SOT-363 22+ ON 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • NTJD5121NT1G12026-06-16 05:49
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深圳和潤天下電子科技有限公司

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NTJD5121NT1G數(shù)據(jù)手冊
NTJD5121NT1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
RoHS
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SC-88-6
通道數(shù)量
2 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
295 mA
Rds On-漏源導通電阻
1.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
0.9 mm
長度
2 mm
系列
NTJD5121N
晶體管類型
2 N-Channel
寬度
1.25 mm
商標
ON Semiconductor
下降時間
32 ns
產品類型
MOSFET
上升時間
34 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
34 ns
典型接通延遲時間
22 ns
單位重量
6 mg
商品詳情
產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi 
產品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細信息 
技術: Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: SC-88-6 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 2 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 295 mA 
Rds On-漏源導通電阻: 1.6 Ohms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V 
Qg-柵極電荷: 900 pC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 250 mW 
通道模式: Enhancement 
封裝: Reel 
封裝: Cut Tape 
封裝: MouseReel 
商標: onsemi 
配置: Dual 
下降時間: 32 ns 
高度: 0.9 mm 
長度: 2 mm 
產品類型: MOSFET 
上升時間: 34 ns 
系列: NTJD5121N 
3000 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 2 N-Channel 
典型關閉延遲時間: 34 ns 
典型接通延遲時間: 22 ns 
寬度: 1.25 mm 
單位重量: 6 mg

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