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增強型MOS管(N溝道)

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MOSFET晶體管 BSS123LT1G ON 21+ SOT23 原裝正品現(xiàn)貨 可開發(fā)票

  • BSS123LT1G12026-03-20 05:00
  • ON
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
BSS123LT1G數(shù)據(jù)手冊
BSS123LT1G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
100 V
Id-連續(xù)漏極電流
170 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
6 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓
1.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
0.94 mm
長度
2.9 mm
產(chǎn)品
MOSFET Small Signal
系列
BSS123L
晶體管類型
1 N-Channel
類型
MOSFET
寬度
1.3 mm
商標
ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值
80 mS
產(chǎn)品類型
MOSFET
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
40 ns
典型接通延遲時間
20 ns
單位重量
8 mg
商品詳情
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 170 mA
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 8 mg

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