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MOSFET NFET DPAK 60V 12A 94MOHM NVD3055-094T4G-VF01

  • NVD3055-094T4G-VF01請詢價2026-05-13 05:48
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供應(yīng)商信息

南京捷特克電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì):

    7

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián) 系人:王小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:15380434323
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機:15380434323
  • 地  址:南京研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈A座321-B1室
推薦的產(chǎn)品
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NVD3055-094T4G-VF01數(shù)據(jù)手冊
NVD3055-094T4G-VF01參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
94 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
20 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
資格
AEC-Q101
封裝
Reel
商標
ON Semiconductor
下降時間
23.9 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
32.3 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
25.2 ns
典型接通延遲時間
7.7 ns
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 360 mg

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