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其他場(chǎng)效應(yīng)管

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MOSFET NFET DPAK 60V 12A 94MOHMNVD3055-094T4G

  • NVD3055-094T4G請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-03-15 05:30
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南京捷特克電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    7

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián)　系人：王小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：15380434323
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：15380434323
  • 地　　址：南京研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈A座321-B1室
推薦的產(chǎn)品
暫無推薦產(chǎn)品信息
NVD3055-094T4G數(shù)據(jù)手冊(cè)
NVD3055-094T4G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
FET類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
12A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
20nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
450pF @ 25V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
1.5W（Ta），48W（Tj）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
94 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：
DPAK
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
60V
連續(xù)漏極電流ID：
12A
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 360 mg

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