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增強(qiáng)型MOS管(N溝道)

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MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM ON NVD3055L170T4G-VF01

  • NVD3055L170T4G-VF01請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-23 05:24
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供應(yīng)商信息

南京捷特克電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    7

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián)　系人：王小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：15380434323
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：15380434323
  • 地　　址：南京研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈A座321-B1室
推薦的產(chǎn)品
暫無推薦產(chǎn)品信息
NVD3055L170T4G-VF01數(shù)據(jù)手冊(cè)
NVD3055L170T4G-VF01參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
170 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓
15 V
Qg-柵極電荷
10 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
28.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
資格
AEC-Q101
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
商標(biāo)
ON Semiconductor
下降時(shí)間
38 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
69 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
10 ns
典型接通延遲時(shí)間
9.7 ns
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 360 mg

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