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耗盡型MOS管(P溝道)

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MOSFET T6 60V LL DPAK NVD5C684NLT4G ON 原裝

  • NVD5C684NLT4G請詢價2026-06-14 05:46
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南京捷特克電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    7

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián)　系人：王小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：15380434323
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：15380434323
  • 地　　址：南京研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈A座321-B1室
推薦的產(chǎn)品
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NVD5C684NLT4G數(shù)據(jù)手冊
NVD5C684NLT4G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
38 A
Rds On-漏源導通電阻
13.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
9.6 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
資格
AEC-Q101
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
系列
NVD5C684NL
晶體管類型
1 N-Channel
商標
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值
30 S
下降時間
40 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
43 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
25 ns
典型接通延遲時間
8 ns
單位重量
340 mg
商品詳情
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:  
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 38 A
Rds _disibledevent="vertical-align:top;"> 330 mg

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