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晶體三極管

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NJVMJD122T4G 達(dá)林頓晶體管 BIP DPAK NPN 8A 100V TR ON品牌

  • NJVMJD122T4G請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-05-25 05:50
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  • 1
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供應(yīng)商信息

南京捷特克電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì):

    7

  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌:ON Rohm ST Ti Vishay
  • 聯(lián) 系人:王小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:15380434323
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):15380434323
  • 地  址:南京研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號(hào)孵鷹大廈A座321-B1室
推薦的產(chǎn)品
暫無(wú)推薦產(chǎn)品信息
NJVMJD122T4G數(shù)據(jù)手冊(cè)
NJVMJD122T4G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
2,500
類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:
晶體管(BJT) - 單路
系列:
-
包裝:
帶卷(TR)
晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
電流 - 集電極(Ic)(最大值):
8A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):
100V
不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):
4V @ 8A,80mA
電流 - 集電極截止(最大值):
10µA
不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
功率 - 最大值:
1.75W
頻率 - 躍遷:
-
安裝類型:
表面貼裝
封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:
DPAK-3
其它名稱:
NJVMJD122T4G-NDNJVMJD122T4GOSTR
商品詳情
產(chǎn)品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: 達(dá)林頓晶體管
RoHS:  
系列:
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): onsemi
產(chǎn)品類型: Darlington Transistors
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Transistors
單位重量: 351 mg

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