商品詳情
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 400 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 43.6 nC
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
系列: STP11NM80
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g