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增強型MOS管(N溝道)

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IRFB7430PBF 原標原簽支持驗貨MOSFET 場效應(yīng)管

  • IRFB7430PBFQQ咨詢或者微信咨詢2026-05-14 05:10
  • Infineon(英飛凌)
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供應(yīng)商信息

深圳市澤騰科技有限公司

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    7

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  • 聯(lián) 系人:曹,林
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  • 聯(lián)系電話:13352984345,,17688968843
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推薦的產(chǎn)品
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IRFB7430PBF數(shù)據(jù)手冊
IRFB7430PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
封裝/外殼:
TO220
FET 類型:
N 溝道
技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):
195A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
6V,10V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):
1.3 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):
3.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
460nC @ 10V
Vgs(最大值):
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):
14240pF @ 25V
功率耗散(最大值):
375W(Tc)
工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:
通孔
系列:
HEXFET?,StrongIRFET?
FET類型:
N 溝道
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):
195A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):
6V,10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值):
3.9V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):
460nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):
14240pF @ 25V
不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):
1.3 毫歐 @ 100A,10V
封裝形式Package:
TO-220AB
極性Polarity:
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:
40V
連續(xù)漏極電流ID:
409A
供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
無鉛情況/RoHs:
無鉛/符合RoHs
商品詳情

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