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耗盡型MOS管(N溝道)

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IRFR13N20DTRPBFInfineon(英飛凌) TO-252 兩年內 MOSFET全新原標原簽

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  • Infineon(英飛凌)
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深圳市澤騰科技有限公司

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IRFR13N20DTRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
200 V
Id-連續(xù)漏極電流
14 A
Rds On-漏源導通電阻
235 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
30 V
Qg-柵極電荷
25 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
2.3 mm
長度
6.5 mm
晶體管類型
1 N-Channel
類型
Smps MOSFET
寬度
6.22 mm
商標
Infineon / IR
下降時間
10 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
27 ns
工廠包裝數(shù)量
2000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
17 ns
典型接通延遲時間
11 ns
零件號別名
SP001567488
單位重量
4 g
商品詳情

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