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其它集成電路

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NXP/恩智浦 PHP20N06T 晶體管 TO220 全新原裝 價格優(yōu)勢

  • PHP20N06T02026-06-16 05:49
  • NXP/恩智浦
  • 1
  • 32016
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供應(yīng)商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì):

    12

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián) 系人:蔡經(jīng)理,張小姐
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機(jī):13378422395,19129491930
  • 地  址:深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
PHP20N06T數(shù)據(jù)手冊
PHP20N06T參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
55 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
20.3 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
0.075 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Rail
下降時間
40 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
62 W
上升時間
50 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關(guān)閉延遲時間
70 ns
零件號別名
PHP20N06T,127
商品詳情
制造商: STMicroelectronics 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: Through Hole 
封裝 / 箱體: TO-220-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V 
Qg-柵極電荷: 10 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 45 W 
通道模式: Enhancement 
商標(biāo)名: STripFET 
系列: STP16NF06 
封裝: Tube 
商標(biāo): STMicroelectronics 
配置: Single 
下降時間: 6 ns 
高度: 9.15 mm 
長度: 10.4 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
上升時間: 18 ns 
1000 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
類型: MOSFET 
典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns 
典型接通延遲時間: 7 ns 
寬度: 4.6 mm 
單位重量: 2 g

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