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其他場效應(yīng)管

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C3M0120065K碳化硅SiC場效應(yīng)管MOSFET封裝T0-247-4品牌WOLFSPEED

  • C3M0120065K請詢價2026-05-20 05:15
  • WOLFSPEED
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南方中研（深圳）科技有限公司

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    7

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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Maxim NXP ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡小姐
  • 在線聯(lián)系：
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C3M0120065K數(shù)據(jù)手冊
商品詳情
制造商: Wolfspeed  
產(chǎn)品種類: MOSFET  
RoHS:  詳細(xì)信息  
技術(shù): SiC  
安裝風(fēng)格: Through Hole  
封裝 / 箱體: TO-247-4  
晶體管極性: N-Channel  
通道數(shù)量: 1 Channel  
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V  
Id-連續(xù)漏極電流: 22 A  
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 120 mOhms  
Vgs - 柵極-源極電壓: - 4 V, + 15 V  
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.6 V  
Qg-柵極電荷: 28 nC  
最小工作溫度: - 40 C  
最大工作溫度: + 175 C  
Pd-功率耗散: 98 W  
通道模式: Enhancement  
封裝: Tube  
商標(biāo): Wolfspeed  
配置: Single  
下降時間: 11 ns  
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5 S  
高度: 23.6 mm  
長度: 16.13 mm  
產(chǎn)品: MOSFET  
產(chǎn)品類型: MOSFET  
上升時間: 11 ns  
工廠包裝數(shù)量: 30  
子類別: MOSFETs  
晶體管類型: 1 N-Channel  
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns  
典型接通延遲時間: 8 ns  
寬度: 5.21 mm 

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