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耗盡型MOS管(P溝道)

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IRFR5505TRPBF Infineon(英飛凌) TO-252 場效應(yīng)管原標(biāo)原簽原盒現(xiàn)貨期貨

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深圳市澤騰科技有限公司

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推薦的產(chǎn)品
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IRFR5505TRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
55 V
Id-連續(xù)漏極電流
18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
110 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
4 V
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
Qg-柵極電荷
32 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
2.3 mm
長度
6.5 mm
晶體管類型
1 P-Channel
類型
HEXFET Power MOSFET
寬度
6.22 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值
4.2 S
下降時(shí)間
16 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
28 ns
工廠包裝數(shù)量
2000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
20 ns
典型接通延遲時(shí)間
12 ns
零件號(hào)別名
SP001573294
單位重量
4 g
商品詳情

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