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其它集成電路

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INFINEON/英飛凌 SPA11N80C3 晶體管 封裝TO220 倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨 歡迎詢價(jià)

  • SPA11N80C302026-06-05 05:50
  • INFINEON/英飛凌
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供應(yīng)商信息

深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號(hào)盈峰中心12A3
SPA11N80C3數(shù)據(jù)手冊(cè)
SPA11N80C3參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
PG-TO-220FP-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
800 V
Id-連續(xù)漏極電流
11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
450 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
2.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
64 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
CoolMOS
封裝
Tube
高度
16.15 mm
長(zhǎng)度
10.65 mm
系列
CoolMOS C3
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
4.85 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
下降時(shí)間
10 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
15 ns
工廠包裝數(shù)量
500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
72 ns
典型接通延遲時(shí)間
25 ns
零件號(hào)別名
SP000216320 SPA11N80C3XKSA1 SPA11N8C3XK
單位重量
6 g
商品詳情

制造商: Infineon 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: Through Hole 
封裝 / 箱體: TO-220FP-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V 
Qg-柵極電荷: 64 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 34 W 
通道模式: Enhancement 
商標(biāo)名: CoolMOS 
系列: CoolMOS C3 
封裝: Tube 
商標(biāo): Infineon Technologies 
配置: Single 
下降時(shí)間: 10 ns 
高度: 16.15 mm 
長(zhǎng)度: 10.65 mm 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
上升時(shí)間: 15 ns 
500 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 N-Channel 
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 72 ns 
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns 
寬度: 4.85 mm 
零件號(hào)別名: SP000216320 SPA11N8C3XK SPA11N80C3XKSA1 
單位重量: 2 g

 

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