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其它集成電路

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ON/安森美 NUS5531MTR2G 晶體管 封裝WDFN-8 倉庫現(xiàn)貨 歡迎詢價

  • NUS5531MTR2G02026-06-15 05:43
  • ON/安森美
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供應商信息

深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    12

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：蔡經(jīng)理，張小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
NUS5531MTR2G數(shù)據(jù)手冊
NUS5531MTR2G參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標準包裝：
3,000
類別：
分立半導體產(chǎn)品
家庭：
晶體管 - 專用型
系列：
-
包裝：
帶卷（TR）
晶體管類型：
PNP，P 通道
應用：
通用
電壓 - 額定：
20V PNP，12V P 通道
額定電流：
2A PNP，5.47A P 通道
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：
8-DFN（3x3）
商品詳情
制造商: onsemi 
產(chǎn)品種類: MOSFET 
技術(shù): Si 
安裝風格: SMD/SMT 
封裝 / 箱體: WDFN-8 
晶體管極性: P-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 5.47 A 
Rds On-漏源導通電阻: 32 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V 
Qg-柵極電荷: 13 nC 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 1.46 W 
通道模式: Enhancement 
商標: onsemi 
配置: Single 
下降時間: 17.5 ns 
正向跨導 - 最小值: 5.9 S 
高度: 0.75 mm 
長度: 3 mm 
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal 
產(chǎn)品類型: MOSFET 
上升時間: 17.5 ns 
子類別: MOSFETs 
晶體管類型: 1 P-Channel 
典型關(guān)閉延遲時間: 80 ns 
典型接通延遲時間: 8 ns 
寬度: 3 mm

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