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增強(qiáng)型MOS管(N溝道)

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C3M0015065D 全新原裝正品 公司現(xiàn)貨庫存

  • C3M0015065D1502026-06-05 05:37
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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Freescale NXP Rohm Vishay Xilinx
  • 聯(lián)　系人：趙小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82815082
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：13049883113
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518
C3M0015065D數(shù)據(jù)手冊
C3M0015065D參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
Series
C3M?
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
416W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
商品詳情

C3M0015065D  全新原裝正品  公司現(xiàn)貨庫存  100%原裝進(jìn)口正品    歡迎來電咨詢！！

C3M0015065DSilicon Carbide Power MOSFETC3MTM MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement Mode 

Features? 3rd Generation SiC MOSFET technology? High blocking voltage with low _disibledevent= 175 ?C 416 W Fig. 20TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature -40 to+175 ?CTL Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s 260 ?CMd Mounting Torque, (M3 or 6-32 screw) 18.8Nmlbf-in

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