IPW60R060C7 詳細參數(shù)
參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid IPW60R060C7
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8151580251
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 7.54
YTEOL 6.18
雪崩能效等級（Eas） 159 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 35 A
最大漏源導通電阻 0.06 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 135 A
表面貼裝 NO
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON