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增強型MOS管(N溝道)

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SSM3J15FV 封裝SOT723 絲印DQ 貼片MOS場效應管

  • SSM3J15FV請詢價2026-02-28 05:23
  • TOSHIBA
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供應商信息

深圳市鴻錦熙貿易有限公司

  • 會員資質：

    6

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián)　系人：朱芳儀
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18123863116，18123868661
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場D座5層Q5C028號
SSM3J15FV數(shù)據(jù)手冊
SSM3J15FV參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
通道類型：
P
最大連續(xù)漏極電流：
100 mA
最大漏源電壓：
30 V
最大漏源電阻值：
32 0hms
最大柵閾值電壓：
1.7V
最小柵閾值電壓：
1.1V
最大柵源電壓：
±20 V
封裝類型：
SOT-723
安裝類型：
表面貼裝
引腳數(shù)目：
3
晶體管配置：
單
通道模式：
增強
最大功率耗散：
150 mW
典型接通延遲時間：
65 ns
典型關斷延遲時間：
175 ns
典型輸入電容值@Vds：
9.1 pF @ 3 V
每片芯片元件數(shù)目：
1
寬度：
1.2mm
長度：
0.8mm
高度：
0.5mm
尺寸：
0.8 x 1.2 x 0.5mm
最高工作溫度：
+150 °C
無鉛情況/RoHs：
無鉛/符合RoHs
商品詳情

型號：SSM3J15FV

封裝：SOT723

絲?。篋Q

導電方式：增強型

種類：絕緣柵（MOSFET)

 

交易說明：原裝現(xiàn)貨，支持拿樣，歡迎議價！

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