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其他場(chǎng)效應(yīng)管

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IRF5850TRPBF 封裝SOT23-6 CCTBB 2個(gè)P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管

  • IRF5850TRPBF請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-04-23 05:42
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供應(yīng)商信息

深圳市鴻錦熙貿(mào)易有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    6

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián)　系人：朱芳儀
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：18123863116，18123868661
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座5層Q5C028號(hào)
IRF5850TRPBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
IRF5850TRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：
FET - 陣列
系列：
HEXFET®
包裝：
帶卷（TR）
FET 類(lèi)型：
2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：
邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
2.2A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
135 毫歐 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：
5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：
320pF @ 15V
功率 - 最大值：
960mW
安裝類(lèi)型：
表面貼裝
封裝/外殼：
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：
6-TSOP
其它名稱：
IRF5850TRPBF-NDIRF5850TRPBFTR
商品詳情

型號(hào)：IRF5850TRPBF

 

封裝：SOT23-6

 

FET類(lèi)型：2個(gè)P溝道
漏源電壓（Vdss）：20 V
漏極電流(Id)：2.2 A
柵源電壓(Vgs)：- 12 V, + 12 V
柵極電荷(Qg)：3.6 nC
最大耗散功率：960 mW
交易說(shuō)明：原裝現(xiàn)貨，支持拿樣，歡迎議價(jià)！

 

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