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其他場效應管

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BSS123 封裝SOT23 絲印SAW N溝道MOS場效應管

  • BSS123請詢價2026-05-01 05:04
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供應商信息

深圳市鴻錦熙貿(mào)易有限公司

  • 會員資質(zhì):

    6

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián) 系人:朱芳儀
  • 在線聯(lián)系:
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  • 手  機:18123863116,18123868661
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BSS123數(shù)據(jù)手冊
BSS123參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
100 V
Id-連續(xù)漏極電流
170 mA
Rds On-漏源導通電阻
6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1.2 mm
長度
2.9 mm
產(chǎn)品
MOSFET Small Signal
系列
BSS123
晶體管類型
1 N-Channel
類型
FET
寬度
1.3 mm
商標
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值
0.8 S
下降時間
9 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
9 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
17 ns
典型接通延遲時間
1.7 ns
零件號別名
BSS123_NL
單位重量
8 mg
商品詳情

型號:BSS123

 

封裝:SOT23


FET類型:N溝道

 

漏源電壓(Vdss):100V
漏極電流(Id):200mA

交易說明:原裝現(xiàn)貨,支持拿樣,歡迎議價!

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