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其他場效應管

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CSD75211W1723 封裝BGA12 75211 MOS場效應管 晶體管

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供應商信息

深圳市鴻錦熙貿易有限公司

  • 會員資質：

    6

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經營品牌：NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián)　系人：朱芳儀
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：18123863116，18123868661
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場D座5層Q5C028號
CSD75211W1723數據手冊
CSD75211W1723參數信息
參數參數值
產品培訓模塊：
NexFET MOSFET Technology
視頻文件：
NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
標準包裝：
3,000
類別：
分立半導體產品
家庭：
FET - 陣列
系列：
NexFET??
包裝：
帶卷（TR）
FET 類型：
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
4.5A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
40 毫歐 @ 2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：
5.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：
600pF @ 10V
功率 - 最大值：
1.5W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
12-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝：
12-DSBGA（1.53x1.98）
其它名稱：
296-27598-2
商品詳情

型號：CSD75211W1723

 

封裝：BGA12

 

應用范圍：功率

 

應用領域：3C數碼

 

交易說明：原裝現貨，支持拿樣，歡迎議價！

 

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