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晶體三極管

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PUMD9 封裝SOT363 絲印DT9 NPN+PNP數(shù)字晶體管

  • PUMD9請詢價2026-06-04 05:57
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供應(yīng)商信息

深圳市鴻錦熙貿(mào)易有限公司

  • 會員資質(zhì):

    6

  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核
  • 經(jīng)營品牌:NXP ON Rohm ST Ti Toshiba
  • 聯(lián) 系人:朱芳儀
  • 在線聯(lián)系:
  • 聯(lián)系電話:
  • 電子郵件:[email protected]
  • 手  機:18123863116,18123868661
  • 地  址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場D座5層Q5C028號
PUMD9數(shù)據(jù)手冊
PUMD9參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
晶體管極性
npn型/ PNP輸出
電壓, Vceo
50V
功耗, Pd
200mW
集電極直流電流
100mA
直流電流增益 hFE
100
工作溫度范圍
-65°C 到 +150°C
封裝類型
SOT-363
針腳數(shù)
6
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))
No SVHC (18-Jun-2012)
功耗
200mW
封裝類型
SOT-363
總功率, Ptot
300mW
晶體管數(shù)
2
晶體管類型
偏壓電阻(BRT)
最大連續(xù)電流, Ic
100A
模塊配置
滿功率溫度
25°C
電壓, Vcbo
50V
電流, Ic hFE
5mA
電流, Ic 最大
100A
電阻, R1
10kohm
電阻, R1 PNP
10kohm
電阻, R2
47kohm
直流電流增益 hfe, 最小值
100
表面安裝器件
表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大
100mV
商品詳情

型號:PUMD9

 

封裝:SOT363

 

絲印:DT9

 

晶體管極性:NPN+PNP
最大集電極電流(Icm):100mA
集射極擊穿電壓(VCEO):50V
應(yīng)用領(lǐng)域:3C數(shù)碼

交易說明:原裝現(xiàn)貨,支持拿樣,歡迎議價!

 

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