此芯片為8～12GHz 幅相多功能芯片：XZ1002-BD，
聯(lián)系電話：18948176968
關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)及應(yīng)用 功能框圖
頻率范圍：8～12GHz
接收增益：11dB
發(fā)射小信號增益：16 dB
發(fā)射增益平坦度: ±0.8dB
接收輸入 P-1：≥-1dBm
發(fā)射輸出 P-1：23dBm
噪聲系數(shù) NF: ≤5 dB
移相步進(jìn)：5.625°
移相位數(shù)：6 位
移相精度 RMS：1.6°
移相寄生調(diào)幅：±0.6dB
衰減步進(jìn)：0.5dB
衰減位數(shù)：6 位
衰減精度 RMS：0.3dB
衰減寄生調(diào)相：±4°
發(fā)射輸入駐波：1.5：1
發(fā)射輸出駐波：1.6：1
接收輸入輸出駐波：1.5：1
負(fù)載態(tài)收發(fā)隔離度: ≥50dB
發(fā)射非線性相位誤差: ≤15°
接收非線性相位誤差: ≤10°
接收可調(diào)衰減量: 0.5 dB,1 dB,1.5 dB
工作電壓： VDR=5V，VDT=5V，VD=5V，VEE=-5V，TRR=5V/0V，TRT=0V/5V
控制方式：串口控制
工作電流：20mA（VDR 端）/140 mA（VDT 端）/65mA（VD 端）/16 mA（VEE 端）
外形尺寸：4.4 mm×5.0 mm ×0.08mm
芯片是一款集成了移相、衰減、放大、開關(guān)、串行驅(qū)動等功能的多功能芯片(MMIC)，使用 0.25?m 柵長的砷化鎵贗配高
電子遷移率晶體管(PHEMT)工藝制造而成。該芯片通過背面金屬經(jīng)通孔接地。所有芯片產(chǎn)品全部經(jīng) 100%射頻測量。芯片為-5V/5V/5V 電源
工作，TTL 控制方式控制。該芯片可以用于各種收發(fā)系統(tǒng)等。芯片發(fā)射小信號增益在 16dB 以上，接收小信號增益在 11dB 以上，移相精度
RMS 為 4°左右，衰減精度 RMS 為 0.3dB 左右，發(fā)射 1dB 壓縮點(diǎn)達(dá)到 23dBm 以上。