| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
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封裝/外殼：
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SO8
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FET 類型：
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P 溝道
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技術(shù)：
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）：
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30V
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電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：
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10A（Ta）
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驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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4.5V，10V
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不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：
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20 毫歐 @ 5.6A，10V
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不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：
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1V @ 250μA
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不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
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92nC @ 10V
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Vgs（最大值）：
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±20V
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不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
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1700pF @ 25V
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功率耗散（最大值）：
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2.5W（Ta）
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工作溫度：
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安裝類型：
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表面貼裝
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系列：
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HEXFET?
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FET類型：
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P 溝道
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電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
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10A（Ta）
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驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
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4.5V，10V
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不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
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1V @ 250μA
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不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
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92nC @ 10V
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不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
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1700pF @ 25V
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不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
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20 毫歐 @ 5.6A，10V
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封裝形式Package：
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SOIC
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極性Polarity：
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P-CH
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漏源極擊穿電壓VDSS：
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30V
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連續(xù)漏極電流ID：
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10A
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供應(yīng)商器件封裝：
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8-SO
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無鉛情況/RoHs：
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無鉛/符合RoHs
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