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其它集成電路

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英飛凌 IKW50N65EH5XKSA1 TO-247-3 現(xiàn)貨供應(yīng)，支持實單

  • IKW50N65EH5XKSA152026-06-21 05:59
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深圳和潤天下電子科技有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon Maxim ON ST Ti
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  • 聯(lián)系電話：
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13378422395，19129491930
  • 地　　址：深圳市南山區(qū)粵海街道濱海社區(qū)海天二路19號盈峰中心12A3
IKW50N65EH5XKSA1數(shù)據(jù)手冊
IKW50N65EH5XKSA1參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
IGBT 晶體管
RoHS
是
技術(shù)
Si
封裝 / 箱體
TO-247-3
安裝風(fēng)格
Through Hole
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
80 A
Pd-功率耗散
275 W
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封裝
Tube
高度
20.7 mm
長度
15.87 mm
寬度
5.31 mm
商標
Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流
100 nA
產(chǎn)品類型
IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量
240
子類別
IGBTs
商標名
TRENCHSTOP
零件號別名
IKW50N65EH5 SP001257944
單位重量
6.049 g
商品詳情
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
RoHS:  
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 275 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列:
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
240
子類別: IGBTs
商標名:
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IKW50N65EH5 SP001257944
單位重量: 6.049 g

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