制造商:Diodes Incorporated
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:12.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.15 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
高度:1 mm
長度:3 mm
產品:Enhancement Mode MOSFET
系列:DMN60
晶體管類型:1 N-Channel
類型:Enhancement Mode MOSFET
寬度:1.4 mm
商標:Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:-
下降時間:11 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:4.1 ns
工廠包裝數量:10000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:35 ns
典型接通延遲時間:3.5 ns
單位重量:8 mg