Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列器件是單級(jí)、不匹配晶體管，能夠在+48V電壓下提供5.9W PSAT，該系列晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz。
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制造商:
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Qorvo
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產(chǎn)品種類:
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射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
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晶體管類型:
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HEMT
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技術(shù):
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GaN-on-SiC
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輸出功率:
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37.7 dBm
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封裝 / 箱體:
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4.5 mm x 4 mm
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濕度敏感性:
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Yes
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產(chǎn)品類型:
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RF JFET Transistors
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工作頻率:
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2.5 GHz to 5 GHz
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增益:
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18.6 dB
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特性
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工作頻率范圍：2.5-5.0GHz
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3.6GHz時(shí)的最大漏極效率：74.1%
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3.6GHz時(shí)的效率-調(diào)諧P3dB增益：18.6dB
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4.5mm x 4.0mm DFN封裝
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工作漏極電壓：+48V
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3.6GHz時(shí)的最大輸出功率 (PSAT)：37.7dBm
應(yīng)用
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WCDMA/LTE
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微蜂窩基站
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小型蜂窩
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宏蜂窩基站
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有源天線
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5G大規(guī)模MIMO
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通用型應(yīng)用