Qorvo QPD2080D 800μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。設(shè)計(jì)采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝，該工藝在高漏極偏置工作條件下通過(guò)先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。通常情況下，QPD2080D的輸出功率為29.5dBm（P1dB時(shí)），增益為11.5dB，功率附加效率為56%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，QPD2080D適合用于高效率應(yīng)用。
Qorvo QPD2080D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護(hù)層，可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護(hù)
特性
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漏極電壓：8V
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漏極電流：130mA
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0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)
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裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm
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無(wú)鹵、無(wú)鉛、符合RoHS指令
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頻率范圍：直流至20GHz
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P1dB輸出功率：29.5dBm（典型值）
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增益：11.5dB（12GHz時(shí)典型值）
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PAE：56%（12GHz時(shí)典型值）
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噪聲系數(shù)：1dB（12GHz時(shí)典型值）
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制造商:
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Qorvo
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產(chǎn)品種類:
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射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
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產(chǎn)品類型:
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RF JFET Transistors
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系列:
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QPD2080D
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晶體管類型:
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pHEMT
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應(yīng)用
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點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
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衛(wèi)星通信
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通信
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雷達(dá)