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產(chǎn)品屬性

屬性值

制造商:

STMicroelectronics

產(chǎn)品種類(lèi):

MOSFET

RoHS:

技術(shù):

Si

安裝風(fēng)格:

Through Hole

封裝 / 箱體:

TO-220-3

晶體管極性:

N-Channel

通道數(shù)量:

1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:

60 V

Id-連續(xù)漏極電流:

70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:

3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:

2 V

Qg-柵極電荷:

55 nC

最小工作溫度:

- 55 C

最大工作溫度:

+ 175 C

Pd-功率耗散:

33 W

通道模式:

Enhancement

商標(biāo)名:

系列:

封裝:

Tube

商標(biāo):

STMicroelectronics

配置:

Single

下降時(shí)間:

20 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:

MOSFET

上升時(shí)間:

68 ns

工廠包裝數(shù)量:

1000

子類(lèi)別:

MOSFETs

晶體管類(lèi)型:

1 N-Channel Power MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:

39 ns

典型接通延遲時(shí)間:

24 ns

單位重量:

2 g