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STB28N60M2 ST意法半導(dǎo)體 MOSFET

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新聞詳細

產(chǎn)品屬性

屬性值

制造商:

STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:

MOSFET

RoHS:

 

技術(shù):

Si

安裝風(fēng)格:

SMD/SMT

封裝 / 箱體:

TO-263-3

晶體管極性:

N-Channel

通道數(shù)量:

1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:

600 V

Id-連續(xù)漏極電流:

22 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:

150 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:

- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:

3 V

Qg-柵極電荷:

36 nC

最小工作溫度:

- 55 C

最大工作溫度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

170 W

通道模式:

Enhancement

商標名:

系列:

封裝:

Reel

封裝:

Cut Tape

封裝:

MouseReel

商標:

STMicroelectronics

配置:

Single

下降時間:

8 ns

產(chǎn)品類型:

MOSFET

上升時間:

7.2 ns

工廠包裝數(shù)量:

1000

子類別:

MOSFETs

晶體管類型:

1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:

100 ns

典型接通延遲時間:

14.5 ns

單位重量:

4 g

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