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STF8N80K5 ST/意法 21+ 分立半導體產(chǎn)品

  • STF8N80K5請詢價2026-06-11 05:57
  • ST/意法
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深圳源亞科技有限公司

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  • 經(jīng)營品牌:ADI Infineon NXP Realtek ST Ti
  • 聯(lián) 系人:林霧
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STF8N80K5數(shù)據(jù)手冊
STF8N80K5參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
技術
Si
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
800 V
Id-連續(xù)漏極電流
6 A
Rds On-漏源導通電阻
950 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
4 V
Vgs - 柵極-源極電壓
30 V
Qg-柵極電荷
16.5 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標名
MDmesh
封裝
Tube
系列
STF8N80K5
晶體管類型
1 N-Channel
商標
STMicroelectronics
下降時間
20 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
14 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
子類別
MOSFETs
典型關閉延遲時間
32 ns
典型接通延遲時間
12 ns
單位重量
330 mg
商品詳情

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