| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|
FET類(lèi)型
|
N 溝道
|
|
技術(shù)
|
MOSFET（金屬氧化物）
|
|
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）
|
320mA（Ta）
|
|
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
|
4.5V，10V
|
|
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）
|
2.5V @ 250μA
|
|
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
|
0.7nC @ 4.5V
|
|
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
|
24.5pF @ 20V
|
|
Vgs（最大值）
|
±20V
|
|
功率耗散（最大值）
|
350mW（Ta）
|
|
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）
|
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
|
|
工作溫度
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
安裝類(lèi)型
|
表面貼裝
|
|
封裝/外殼
|
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
|
封裝形式Package
|
SOT-23
|
|
極性Polarity
|
N-CH
|
|
漏源極擊穿電壓VDSS
|
60V
|
|
連續(xù)漏極電流ID
|
0.38A
|
|
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
|
0.7nC @ 4.5V
|
|
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
|
24.5pF @ 20V
|
|
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
|
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
|
|
FET 類(lèi)型
|
N 溝道
|
|
漏源極電壓（Vdss）
|
60V
|
|
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
|
320mA（Ta）
|
|
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
|
4.5V，10V
|
|
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
|
2.5V @ 250μA
|
|
無(wú)鉛情況/RoHs
|
無(wú)鉛/符合RoHs
|