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STW3N150 原裝正品 現(xiàn)貨歡迎詢價(jià)

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供應(yīng)商信息

深圳市波光電子有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    7

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：Everlight GD NXP ST Ti
  • 聯(lián)　系人：王俊葵
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：13352931985
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：15118847778
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北寶華大廈1701(都會(huì)電子城2C010)
STW3N150數(shù)據(jù)手冊(cè)
STW3N150參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流
2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
9 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓
3 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
29.3 nC
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
PowerMESH
封裝
Tube
高度
20.15 mm
長(zhǎng)度
15.75 mm
系列
STW3N150
晶體管類型
1 N-Channel Power MOSFET
寬度
5.15 mm
商標(biāo)
STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值
2.6 S
下降時(shí)間
61 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
47 ns
工廠包裝數(shù)量
600
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
45 ns
典型接通延遲時(shí)間
24 ns
單位重量
38 g
商品詳情
MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

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