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深圳市博翔微電子有限公司

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    7

    年
  • 營(yíng)業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營(yíng)品牌：ADI NXP ST Ti
  • 聯(lián)　系人：尹學(xué)
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82710457
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：17817281186
  • 地　　址：華勻大夏2棟5樓500
IRFB4227PBF數(shù)據(jù)手冊(cè)
IRFB4227PBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Infineon
產(chǎn)品種類(lèi)
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
200 V
Id-連續(xù)漏極電流
65 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
30 V
Qg-柵極電荷
70 nC
最小工作溫度
- 40 C
最大工作溫度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Tube
高度
15.65 mm
長(zhǎng)度
10 mm
晶體管類(lèi)型
1 N-Channel
寬度
4.4 mm
商標(biāo)
Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值
49 S
下降時(shí)間
31 ns
產(chǎn)品類(lèi)型
MOSFET
上升時(shí)間
20 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
子類(lèi)別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
21 ns
典型接通延遲時(shí)間
33 ns
零件號(hào)別名
SP001565892
單位重量
6 g
商品詳情
N溝道 漏源電壓(Vdss)：200V 連續(xù)漏極電流(Id)：65A 功率(Pd)：330W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@10V,46A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：5V@250uA N溝道,200V,65A,19.7mΩ@10V

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