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其它集成電路

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IRF7820TRPBF 晶體管

  • IRF7820TRPBF請詢價2026-05-10 05:03
  • Infineon
  • 1
  • 常備大量現(xiàn)貨
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供應商信息

深圳市羿芯誠電子有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    8

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI IDT Infineon ST Ti
  • 聯(lián)　系人：謝小姐
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-22968581
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：13728619986
  • 地　　址：華強北電子科技大廈C座18C2
IRF7820TRPBF數(shù)據(jù)手冊
IRF7820TRPBF參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
封裝/外殼：
SO8
FET 類型：
N 溝道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：
200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：
3.7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：
5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
44nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1750pF @ 100V
功率耗散（最大值）：
2.5W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：
78 毫歐 @ 2.2A，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝
系列：
HEXFET?
FET類型：
N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：
3.7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：
5V @ 100μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
44nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：
1750pF @ 100V
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：
78 毫歐 @ 2.2A，10V
封裝形式Package：
SOIC
極性Polarity：
N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：
200V
連續(xù)漏極電流ID：
3.7A
供應商器件封裝：
8-SO
無鉛情況/RoHs：
否
商品詳情
Category
Mfr
Series
Package
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Product Status
Active
FET Type
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Drive Voltage (Max Rds _disibledevent="https://www.digikey.com/en/products/base-product/infineon-technologies/448/IRF7820/286841">IRF7820

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