| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
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系列：
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HEXFET?
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FET類型：
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N 溝道
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技術(shù)：
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MOSFET（金屬氧化物）
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電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：
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120A（Tc）
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驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：
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10V
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不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：
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4V @ 150μA
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不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
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120nC @ 10V
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不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
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4520pF @ 50V
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Vgs（最大值）：
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±20V
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功率耗散（最大值）：
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230W（Tc）
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不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：
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4.2 毫歐 @ 75A，10V
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工作溫度：
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型：
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通孔
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封裝/外殼：
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TO220
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封裝形式Package：
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TO-220AB
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極性Polarity：
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N-CH
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漏源極擊穿電壓VDSS：
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60V
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連續(xù)漏極電流ID：
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160A
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漏源電壓（Vdss）：
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60V
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不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：
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120nC
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電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
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10V
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不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：
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4520pF
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電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：
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50V
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供應(yīng)商器件封裝：
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TO-220AB
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無鉛情況/RoHs：
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無鉛/符合RoHs
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