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晶體三極管

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DIODES BSS123-7-F

  • BSS123-7-F請(qǐng)?jiān)儍r(jià)2026-06-09 05:06
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供應(yīng)商信息

深圳市寶利士科技有限公司

  • 會(huì)員資質(zhì)：

    10

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：AVX Diodes EYANG KEMET Murata Samsung
  • 聯(lián)　系人：周先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：0755-82550851
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機(jī)：17612073080
  • 地　　址：華強(qiáng)北路新華強(qiáng)電子世界Q1B042-Q1B043
BSS123-7-F數(shù)據(jù)手冊(cè)
BSS123-7-F參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-23-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
100 V
Id-連續(xù)漏極電流
170 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓
20 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1 mm
長度
2.9 mm
產(chǎn)品
MOSFET Small Signal
系列
BSS123
晶體管類型
1 N-Channel
類型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度
1.3 mm
商標(biāo)
Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值
0.08 S
下降時(shí)間
8 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時(shí)間
8 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
13 ns
典型接通延遲時(shí)間
8 ns
單位重量
8 mg
商品詳情
產(chǎn)品屬性  屬性值
制造商  Diodes Incorporated 
產(chǎn)品種類  MOSFET 
RoHS   詳細(xì)信息  
技術(shù)  Si 
安裝風(fēng)格  SMD/SMT 
封裝 / 箱體  SOT-23-3 
通道數(shù)量  1 Channel 
晶體管極性  N-Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓  100 V 
Id-連續(xù)漏極電流  170 mA 
Rds _disibledevent="xl66">  8 mg

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